Hallo Spicer,
wegen der Fetmodelle für Simulationen nebst deren "Datenblättern"
habe ich jetzt in diversen Fachbüchern (teilweise habe ich sie mir
jetzt noch mal nachgekauft) gelesen und auch im Internet nach
Informationen und Literaturquellen (ca. 10 -15) gesucht.
Die Verwirrung ist größer denn zuvor. Ich habe heute zwar ca.
500% mehr Wissen über den JFet/Halbleiter als jemals zuvor,
doch wie bereits zuvor geschrieben, ist auch die Verwirrung
größer denn je.
Überall oder irgendwo irgendwelche halbseidenen Gleichungen,
Herleitungen, Ableitungen, keine Angaben bzw. nachvollziehbare
Herleitungen/Ableitungen von irgendwelchen Formelwerken,
überhaupt keine einheitliche Nomenklatur oder Darstellung von
Beziehungen (Gleichungen). Ein echtes Chaos oder besser gesagt:
Desaster. Und das Thema ist theoretisch wie praktisch nicht ganz
einfach, da wir es da mit Halbleiterphysik bzw. dann auch Atomphysik
zu tun haben.
Was in Fachbüchern von irgendwelchen Hochschulprofessoren
drin steht, stimmt auch nicht - von wegen die relevanten
Parameter wären aus den Datenblättern der JFet's zu entnehmen.
Mumpitz. Man nehme nur mal den Schrott von Datenblättern von
z.B. Faichild und deren Modelle J201/J202. Dasselbe Modell und
dasselbe Datenblatt für zwei verschiedene JFET-Transistoren.
Das ist doch echter Müll, da stimmt doch nix, aus den ganzen Diagrammen
kann man doch gar nichts für z.B. den J201 (sehr gut für Audioanwendungen
in Gitarreneffektgeräten geeignet, leider abgekündigt und nur noch als MMBFJ201 im SMD-Gehäuse SOT23-3 zu bekommen) ableiten; das kann man
allenfalls wenn überhaupt noch als Toilettenpapier verwenden. Wen
wollen die denn nun eigentlich für dumm verkaufen?
Ich dachte immer die wollen ihre Bauteile auch verkaufen; also sollten
sie doch in der Lage sein, handfeste Info's/Daten/Modelle für ihr
Gerümpel den Anwendern zur Verfügung zu stellen, oder?
Den offerierten Murks kann man doch absolut nicht gebrauchen,
nicht verwenden. Tut mir Leid, aber irgendwie und irgendwann ist
mir ob diesen ganzen Sch.... irgendwann mal der Kragen geplatzt.
Ich bin Entwicklungsingenieur und brauche ein handfestes Formelwerk
für die tägliche, praktische Arbeit, und keinen wissenschaftlichen
Hokuspokus in den ich mich erst noch langwierig einarbeiten muß.
Schicke mir das was Du da hast ruhig mal zu, vielleicht kann ich es
gebrauchen. Jedenfalls ist mir absolut nicht klar, nach welchen Kriterien
diese ganzen Parameter in den Modellen verankert werden.
Ein kleines Beispiel:
ß = IDSS/Vp² bzw. ß*Vp² = IDSS
Fairchild (MMBF)J201 Datenblatt min - typ - max:
Vp = -0.3V -0.9V -1.5V
IDSS = 0.2mA - 0.6mA - 1.0mA
Das Model von deren Webseite:
.MODEL (MMBF)J201 NJF (VTO=-3.95 BETA=0.00198 LAMBDA=0.0052 IS=1.1937E-12 ......
mit VTO = Vp folgt für
ß*Vp² = IDSS = -3.95² x 0.00198 = 30.1mA!!!!!!!
In ihrem Datenblatt geben sie 1mA!!!! an.
Die Ermittlung des Wertes für Lambda (Kanallängenmodulationsparameter λ = 1/VA
= 1/r0*ID(VGS) = 2*gDS/VP*gfs = 2/(Vp*gfmax*r0min) = 2/VP*µi [1/V]1/VA
mit VA = Early-Spannung U) ist noch defiziler, hängt auch in gewisser Weise noch
von UDS ab; soll hier jetzt aber nicht diskutiert/erörtert werden; jedenfalls stimmt
der im Modell eingetragene Wert NICHT!
Der muß nämlich im Bereich von ca. 0.005 biis 0.007 liegen. Jedenfalls ist mein Vertrauensintervall in irgendwelche Modelle, sei es aus dem Netz, sei es von
irgendwelchen "usern" und selbst von den Herstellern inzwischen recht klein geworden. Stimmen die Modelle nicht, ist die Simulation für die Katz. Nichts gegen LTSpice,
habe ein Seminar bei Mike Engelhardt besucht, geniales Werkzeug, aber, wie gut sind
dann die Modelle von komplexeren Bauelementen?
Gruß, Micha
wegen der Fetmodelle für Simulationen nebst deren "Datenblättern"
habe ich jetzt in diversen Fachbüchern (teilweise habe ich sie mir
jetzt noch mal nachgekauft) gelesen und auch im Internet nach
Informationen und Literaturquellen (ca. 10 -15) gesucht.
Die Verwirrung ist größer denn zuvor. Ich habe heute zwar ca.
500% mehr Wissen über den JFet/Halbleiter als jemals zuvor,
doch wie bereits zuvor geschrieben, ist auch die Verwirrung
größer denn je.
Überall oder irgendwo irgendwelche halbseidenen Gleichungen,
Herleitungen, Ableitungen, keine Angaben bzw. nachvollziehbare
Herleitungen/Ableitungen von irgendwelchen Formelwerken,
überhaupt keine einheitliche Nomenklatur oder Darstellung von
Beziehungen (Gleichungen). Ein echtes Chaos oder besser gesagt:
Desaster. Und das Thema ist theoretisch wie praktisch nicht ganz
einfach, da wir es da mit Halbleiterphysik bzw. dann auch Atomphysik
zu tun haben.
Was in Fachbüchern von irgendwelchen Hochschulprofessoren
drin steht, stimmt auch nicht - von wegen die relevanten
Parameter wären aus den Datenblättern der JFet's zu entnehmen.
Mumpitz. Man nehme nur mal den Schrott von Datenblättern von
z.B. Faichild und deren Modelle J201/J202. Dasselbe Modell und
dasselbe Datenblatt für zwei verschiedene JFET-Transistoren.
Das ist doch echter Müll, da stimmt doch nix, aus den ganzen Diagrammen
kann man doch gar nichts für z.B. den J201 (sehr gut für Audioanwendungen
in Gitarreneffektgeräten geeignet, leider abgekündigt und nur noch als MMBFJ201 im SMD-Gehäuse SOT23-3 zu bekommen) ableiten; das kann man
allenfalls wenn überhaupt noch als Toilettenpapier verwenden. Wen
wollen die denn nun eigentlich für dumm verkaufen?
Ich dachte immer die wollen ihre Bauteile auch verkaufen; also sollten
sie doch in der Lage sein, handfeste Info's/Daten/Modelle für ihr
Gerümpel den Anwendern zur Verfügung zu stellen, oder?
Den offerierten Murks kann man doch absolut nicht gebrauchen,
nicht verwenden. Tut mir Leid, aber irgendwie und irgendwann ist
mir ob diesen ganzen Sch.... irgendwann mal der Kragen geplatzt.
Ich bin Entwicklungsingenieur und brauche ein handfestes Formelwerk
für die tägliche, praktische Arbeit, und keinen wissenschaftlichen
Hokuspokus in den ich mich erst noch langwierig einarbeiten muß.
Schicke mir das was Du da hast ruhig mal zu, vielleicht kann ich es
gebrauchen. Jedenfalls ist mir absolut nicht klar, nach welchen Kriterien
diese ganzen Parameter in den Modellen verankert werden.
Ein kleines Beispiel:
ß = IDSS/Vp² bzw. ß*Vp² = IDSS
Fairchild (MMBF)J201 Datenblatt min - typ - max:
Vp = -0.3V -0.9V -1.5V
IDSS = 0.2mA - 0.6mA - 1.0mA
Das Model von deren Webseite:
.MODEL (MMBF)J201 NJF (VTO=-3.95 BETA=0.00198 LAMBDA=0.0052 IS=1.1937E-12 ......
mit VTO = Vp folgt für
ß*Vp² = IDSS = -3.95² x 0.00198 = 30.1mA!!!!!!!
In ihrem Datenblatt geben sie 1mA!!!! an.
Die Ermittlung des Wertes für Lambda (Kanallängenmodulationsparameter λ = 1/VA
= 1/r0*ID(VGS) = 2*gDS/VP*gfs = 2/(Vp*gfmax*r0min) = 2/VP*µi [1/V]1/VA
mit VA = Early-Spannung U) ist noch defiziler, hängt auch in gewisser Weise noch
von UDS ab; soll hier jetzt aber nicht diskutiert/erörtert werden; jedenfalls stimmt
der im Modell eingetragene Wert NICHT!
Der muß nämlich im Bereich von ca. 0.005 biis 0.007 liegen. Jedenfalls ist mein Vertrauensintervall in irgendwelche Modelle, sei es aus dem Netz, sei es von
irgendwelchen "usern" und selbst von den Herstellern inzwischen recht klein geworden. Stimmen die Modelle nicht, ist die Simulation für die Katz. Nichts gegen LTSpice,
habe ein Seminar bei Mike Engelhardt besucht, geniales Werkzeug, aber, wie gut sind
dann die Modelle von komplexeren Bauelementen?
Gruß, Micha
