J201 - N-Channel Silicon JFET

[spicer]

J201 - N-Channel Silicon JFET

- NOT official

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[Jh.Rivers]

Dieses Model kann nicht stimmen wendet man es auf bereits vermessene J201-Typen an (ich weiß, ich weiß die Bauteiltoleranzen sind bei JFet's enorm)
dann paßt es halt schlicht und ergreifend einfach nicht.

Man muß Beta und Lambda ausrechnen, siehe revidierten Auszug LTSPCREF_mod-S155-S158.pdf aus Orcads PSPCREF.pdf seite 153-159 im Anhang (Zip-Datei).

Freundlichen Gruß,
Jailhouse Rivers

 

[Jh.Rivers]

JFET-Modellparameter Formelsammlung 08. April 2017

ß=IDSS/Vp²=gfsmax/2*Vp=gfsmax²/4 IDSS [A/V²] mit gfsmax=2*IDSS/Vp
mit gfsmax = max. Steilheit / Transkonduktanz @VGS=0

λ = 1/VA = 1/r0*ID(VGS) = 2*gDS/VP*gfs = 2/(Vp*gfmax*r0min) = 2/VP*µi [1/V]

mit VA = Early-Spannung u

r0 = rDS = |VA|/ID(VGS) = 1/λ*ID(VGS) => |VA|/IDSS
bzw. rDS ≥ |VA|/IDSS = 1/λ*IDSS

je größer |VA| bzw. je kleiner λ desto größer ist rDS = r0


gfsmax = 2 IDSS / |Vp|

Werteangaben für VA (= Early-Spannung u) in der Literatur:
30V bis 300V
20V bis 200V
typisch 100V für Ic
60V für 2N5484

 

[spicer]

Danke Euch. Hab das Ganze von LTj übernommen.

 

[Jh.Rivers]

Ein möglicherweise besseres Modell für UDS=9vdc

.model J201_V1 NJF(Vto=-0.94 Beta=0.0008 Lambda=0.007
+ Rd=0.0001 Rs=0.0001 Is=1.3336e-12 Cgs=3.37419e-12
+ Cgd=3.53422e-12 Pb=2.58279 Fc=0.5 Kf=1e-20 Af=0.2 mfg=Fairchild)

 

[Jh.Rivers]

Ein möglicherweise besseres Modell für UDS=9vdc

.model J201_V1 NJF(Vto=-0.94 Beta=0.0008 Lambda=0.007
+ Rd=0.0001 Rs=0.0001 Is=1.3336e-12 Cgs=3.37419e-12
+ Cgd=3.53422e-12 Pb=2.58279 Fc=0.5 Kf=1e-20 Af=0.2 mfg=Fairchild)

UUUUuuuupppppssss!!!

In der Eile liegt Irrtum, das korrekt zuvor erwähnte Modell sollte heißen:

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Gruß,
Micha